5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS423
1SS423 PDF预览

1SS423

更新时间： 2024-09-27 03:54:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 134K
描述
Ultra-High-Speed Switching Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

1SS423 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOD包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.53Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA HIGH SPEED SWITCHING配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1SS423 数据手册

 浏览型号1SS423的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS423的Datasheet PDF文件第3页 
1SS423  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS423  
Ultra-High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
•
Small package  
Low forward voltage: V  
= 0.56 V (typ.)  
F (3)  
Low reverse current: I = 5 μA (max)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
1.ANODE1  
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
200*  
100*  
1*  
mA  
mA  
A
FM  
2.CATHODE2  
3.CATHODE1  
ANODE2  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100*  
125  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
TOSHIBA  
1-2S1C  
T
Weight: 0.0024 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: This is the absolute maximum rating for a single diode . Where two diodes are used,  
the absolute maximum rating per diode is 75% that for the single diode.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.56  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10 mA  
= 100 mA  
0.62  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40 V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
(between cathode and anode)  
C
T
= 0, f = 1 MH  
―
15  
―
z
pF  
Marking  
W9  
1
2007-11-01  
123

中文翻译

下载PDF

与1SS423相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS423(T5LPAV,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS424 TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed Switching Applications
1SS424(TH3MAA,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
1SS424(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,30V V(RRM),SOD-523
1SS426 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra-High Speed Switching Applications
1SS427 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra-High Speed Switching Applications
1SS427(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifiers Vr=80V If=0.1A 2Pin
1SS427,L3FDKKF(A TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS427,L3M(T TOSHIBA

获取价格

 		0.1A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS5004WS SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

与1SS423相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证