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1SS424(TH3MAA,F)

更新时间： 2024-02-04 13:28:48
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 142K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon

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1SS424(TH3MAA,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.7
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.15 W最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS424(TH3MAA,F) 数据手册

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1SS424  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS424  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
z
Low forward voltage  
: V  
= 0.50 V (typ.)  
F (3)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
30  
20  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
200  
O
I
1
FSM  
P *  
Power dissipation  
150  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
1-1G1A  
Weight: 1.4 mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Mounted on a glass-epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimensions of 4 × 4 mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
―
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.42  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5 mA  
= 200 mA  
= 10 V  
0.5  
30  
50  
―
V
V
V
Reverse current  
R (1)  
R (2)  
R
μA  
I
= 20 V  
―
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MHz  
20  
pF  
Equivalent Circuit (Top View)  
Marking  
S8  
Start of commercial production  
2004-08  
2014-03-01  
1
123

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与1SS424(TH3MAA,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS424(TPL3,F) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,30V V(RRM),SOD-523
1SS426 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra-High Speed Switching Applications
1SS427 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra-High Speed Switching Applications
1SS427(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifiers Vr=80V If=0.1A 2Pin
1SS427,L3FDKKF(A TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS427,L3M(T TOSHIBA

获取价格

 		0.1A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE
1SS5004WS SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1SS5004WS DIOTEC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.225A, 400V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
1SS5004WSR7 DIOTEC

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 		Rectifier Diode,
1SS510WT SEMTECH

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 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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