5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.4 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.13 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS420 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High-Speed Switching Applications |
|
| 1SS420 | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| 1SS420(TL3,PP,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 35V V(RRM), Silicon |
|
| 1SS420_05 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type High-Speed Switching Applications |
|
| 1SS420CT | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Speed Switching Applications |
|
| 1SS420CT(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,35V V(RRM),SOD-882 |
|
| 1SS420PT | CHENMKO |
获取价格 |
SWITCHING DIODE VOLTAGE 85 Volts CURRENT 0.15 Ampere |
|
| 1SS420TPL3F | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Speed Switching Applications |
|
| 1SS421 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Speed Switching Application |
|
| 1SS421(TH3MAA,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
