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1SS422(T5L,PP,F)

更新时间： 2024-09-26 20:01:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 153K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon

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1SS422(T5L,PP,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.7
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.1 W最大重复峰值反向电压：35 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS422(T5L,PP,F) 数据手册

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1SS422  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS422  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
Low forward voltage V = 0.23 V (typ.) @ I = 5 mA  
F F  
Small package suitable for mounting on a small space  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
35  
30  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
200*  
mA  
mA  
A
FM  
I
100*  
O
I
1*  
FSM  
P
Power dissipation  
100*  
mW  
°C  
°C  
°C  
1.ANODE1  
2.CATHODE2  
3.CATHODE1  
ANODE2  
Junction temperature  
T
125  
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
TOSHIBA  
1-2S1C  
Weight: 0.0024 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: This is the absolute maximum rating for a single diode. Where two diodes are used, the absolute maximum rating  
per diode is 75% that for the single diode.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.38  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5 mA  
= 100 mA  
0.5  
20  
50  
I
I
V
V
= 10 V  
= 30 V  
R
R
Reverse current  
μA  
―
Total capacitance  
(between Cathode and Anode)  
C
T
V
= 0, f = 1 MHz  
―
15  
―
R
pF  
Marking  
U9  
Start of commercial production  
2004-04  
1
2014-03-01  
123

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与1SS422(T5L,PP,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS422(TE85L) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODES,DOUBLER,SCHOTTKY,35V V(RRM),SOT-416
1SS422_11 TAK_CHEONG

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 		200mW SOD-523 SURFACE MOUNT High Speed Switching Diode
1SS422_15 WINNERJOIN

获取价格

 		High Speed SWITCHING Diodes
1SS422-T1 WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
1SS422-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
1SS423 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra-High-Speed Switching Applications
1SS423(T5LPAV,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS424 TOSHIBA

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 		High-Speed Switching Applications
1SS424(TH3MAA,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
1SS424(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,30V V(RRM),SOD-523

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