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1SS272(TE85R,F)

更新时间: 2024-02-05 22:53:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 222K
描述
Rectifier Diode

1SS272(TE85R,F) 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SC-61, 4 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:2
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.225 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向电流:0.5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs反向测试电压:80 V
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1SS272(TE85R,F) 数据手册

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1SS272  
Marking  
Fig.1 Reverse recovery time (trr) test circuit  
2
2014-03-01  

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