是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SC-61, 4 PIN |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.86 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.2 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 2 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 125 °C | 最大输出电流: | 0.1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
最大功率耗散: | 0.225 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向电流: | 0.5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 反向测试电压: | 80 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1SS272TE85R | TOSHIBA | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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1SS277 | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch |
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1SS277WT | SEMTECH | BAND SWITCHING DIODE |
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1SS277WT | SWST | 波段开关管 |
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1SS286 | HITACHI | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
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1SS286 | RENESAS | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
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