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1SMB8.5ATR13

更新时间: 2024-11-04 13:42:51
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CENTRAL 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

1SMB8.5ATR13 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.16
Is Samacsys:N最大击穿电压:10.82 V
最小击穿电压:9.44 V击穿电压标称值:10.13 V
最大钳位电压:14.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:8.5 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1SMB8.5ATR13 数据手册

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