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1PTxxES

更新时间： 2022-02-26 11:05:30

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尼尔 - NELLSEMI		/
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4页	383K
描述
Sensitive gate SCRs, 1A

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1PTxxES 数据手册

RoHS

1PT Series

SEMICONDUCTOR

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

(T_J= 25 ºC unless otherwise specified)

1PTxxxx

SYMBOL

Unit

TEST CONDITIONS

200

0.8

Min.

Max.

I_GT

µA

V_D= 12V, R_L= 100Ω

V_GT

V_D= V_DRM, R_L= 3.3KΩ

V_GD

Min.

0.2

R_GK= 1KΩ, T_j= 110°C

I_H

I_L

I_T= 50mA, R_GK= 1KΩ

I_G= 1mA, R_GK= 1KΩ

Max.

Min.

V/µs

V_D= 67% V_DRMR_GK= 1KΩ, T_j= 110°C

dV/dt

Min.

Max.

1.6

V_TM

T_j= 25°C

T_j= 110°C

I_T= 1A, t_P= 380 µs

µA

I_DRM

I_RRM

V_D=V_DRM, V_R=V_RRM

R_GK= 220Ω

Max.

0.1

Threshold voltage

Dynamic resistance

T_j= 110°C

0.85

MΩ

THERMAL RESISTANCE

SYMBOL

Parameter

VALUE

UNIT

°C/W

R_th(j-c)

R_th(j-a)

Junction to case (AC)

TO-92

Junction to ambient (DC)

150

PRODUCT SELECTOR

VOLTAGE (xx)

PART NUMBER

SENSITIVITY

PACKAGE

800 V

600 V

10~30 µA

20~50 µA

30~60 µA

50~80 µA

70~200 µA

TO-92

1PTxxE03

1PTxxE-05

1PTxxE-06

TO-92

1PTxxE-08

1PTxxE-S

ORDERING INFORMATION

WEIGHT

PACKAGE

DELIVERY MODE

ORDERING TYPE

MARKING

BASE Q TY

1PTxxE-yy

0.23g

TO-92

500

Bag

Note: xx = voltage, y = sensitivity

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www.nellsemi.com

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