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1N992B

更新时间: 2024-11-11 22:37:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 91K
描述
SILICON 400 mW ZENER DIODES

1N992B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.06
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-204AA
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.417 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:200 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:0.65 mABase Number Matches:1

1N992B 数据手册

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