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1N968DHR-PBF

更新时间： 2024-11-07 09:27:27
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 754K
描述
Zener Diode, 20V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35

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1N968DHR-PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-XALF-W2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.58其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：25 Ω最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-XALF-W2
膝阻抗最大值：750 Ω元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
参考标准：MIL-19500标称参考电压：20 V
最大反向电流：5 µA反向测试电压：15.2 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
最大电压容差：1%工作测试电流：6.2 mA
Base Number Matches：1

1N968DHR-PBF 数据手册

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1N957B-1N992B  
500 mW SILICON ZENER DIODES  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
FEATURES  
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Value  
Operating temperature  
Storage temperature  
-65°C to +175°C  
-65°C to +175°C  
250°C/W junction to lead at 3/8” lead length from body, or 310°C/W junction to ambient when mounted on  
FR4 PC board(1)  
Thermal resistance  
Steady-state power  
≤ 25°C when mounted on FR4 PC board(1)  
0.5W at TL ≤ 50°C 3/8” from body or 0.48W at TA  
@ 200 mA: 1.1 volts maximum (1N957B-1N985B)  
@ 200mA: 1.3 volts maximum (1N985-1N992B)  
260°C for 10 s maximum  
Forward voltage  
Solder temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Nominal  
Maximum Maximum  
Zener  
zener  
Maximum  
temperature  
coefficient  
DC zener  
surge  
Maximum reverse  
leakage current  
test  
Maximum zener impedance(3)  
Part  
voltage  
(2)  
current  
(4)  
current  
(5)  
current  
number  
(1)  
VZ  
Volts  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
IZT  
mA  
18.5  
16.5  
15.0  
14.0  
12.5  
11.5  
10.5  
9.5  
ZZT @ IZT  
Ohms  
4.5  
5.5  
6.5  
7.5  
8.5  
9.5  
11.5  
13  
ZZK  
Ohms  
700  
@IZK  
mA  
IZM  
mA  
55  
50  
45  
41  
38  
32  
31  
28  
25  
24  
20  
18  
16  
15  
13  
12  
11  
10  
9.5  
8.8  
IZSM  
mA  
300  
275  
250  
225  
200  
175  
160  
150  
130  
120  
110  
100  
90  
IR  
µA  
150  
75  
50  
25  
10  
5
@VR  
Volts  
5.2  
αvz  
%/°C  
0.05  
1N957B  
1N958B  
1N959B  
1N960B  
1N961B  
1N962B  
1N963B  
1N964B  
1N965B  
1N966B  
1N967B  
1N968B  
1N969B  
1N970B  
1N971B  
1N972B  
1N973B  
1N974B  
1N975B  
1N976B  
1.0  
700  
0.5  
5.7  
0.058  
0.065  
0.068  
0.075  
0.076  
0.077  
0.079  
0.082  
0.083  
0.085  
0.086  
0.087  
0.088  
0.090  
0.091  
0.092  
0.093  
0.094  
0.095  
700  
0.5  
6.2  
700  
0.5  
6.9  
700  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
7.6  
11  
700  
8.4  
12  
700  
5
9.1  
13  
700  
5
9.9  
15  
8.5  
16  
700  
5
11.4  
12.2  
13.7  
15.2  
16.7  
18.2  
20.6  
22.8  
25.1  
27.4  
29.7  
32.7  
16  
7.8  
17  
700  
5
18  
7.0  
21  
750  
5
20  
6.2  
25  
750  
5
22  
5.6  
29  
750  
5
24  
5.2  
33  
750  
80  
5
27  
4.6  
41  
750  
70  
5
30  
4.2  
49  
1000  
1000  
1000  
1000  
1500  
65  
5
33  
3.8  
58  
60  
5
36  
3.4  
70  
55  
5
39  
3.2  
80  
46  
5
43  
3.0  
93  
44  
5
Rev. 20150825  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N968DLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
1N968DRL2 MOTOROLA

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1N968DUR-1E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 20V V(Z), 1%, 0.5W
1N968E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 20V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETICALLY SEALED, GLA
1N968E3/TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 20V V(Z), 20%, 0.417W, Silicon, Unidirectional, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GL
1N968E3TR MICROSEMI

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1N968T-10 ROHM

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 		Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional

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