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1N961B.TR

更新时间: 2024-10-30 14:37:07
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德州仪器 - TI 测试二极管
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1页 33K
描述
10V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N961B.TR 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.58
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2膝阻抗最大值:700 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:10 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:7.2 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:12.5 mA
Base Number Matches:1

1N961B.TR 数据手册

  

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