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1N959BTR

更新时间: 2024-11-06 16:36:51
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CENTRAL 二极管
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1页 35K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N959BTR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.07
其他特性:INDUSTRY STANDARD外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N959BTR 数据手册

  

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