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1N959B-B

更新时间: 2024-11-05 18:30:31
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美台 - DIODES 测试二极管
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1页 131K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional

1N959B-B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.6
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2膝阻抗最大值:700 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V最大反向电流:50 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:5.084 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:15 mABase Number Matches:1

1N959B-B 数据手册

  

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