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1N916.T50R

更新时间： 2024-11-14 17:09:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35

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1N916.T50R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N916.T50R 数据手册

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

Small Signal Diode

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum Repetitive Reverse Voltage

100

200

Average Rectified Forward Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Characteristic

Max

Units

1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

300

R_θJA

°C/W

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448, Rev. B

12 3

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与1N916.T50R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N916.TR	TI	获取价格	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N916113	NXP	获取价格	DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N916116	NXP	获取价格	DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N916133	NXP	获取价格	DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N916136	NXP	获取价格	DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N916143	NXP	获取价格	DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N916153	NXP	获取价格	DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N916A	NJSEMI	获取价格	HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N916A	NSC	获取价格	Diode Data
1N916A	FAIRCHILD	获取价格	High Conductance Fast Diode