5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.45 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.075 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N916143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| 1N916153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| 1N916A | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
|
| 1N916A | NSC |
获取价格 |
Diode Data |
|
| 1N916A | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Conductance Fast Diode |
|
| 1N916A | SWST |
获取价格 |
小信号开关二极管 |
|
| 1N916A.T26R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N916A.T50A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N916A.T50R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N916AFV | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
