1N821

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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摩托罗拉 - MOTOROLA		二极管齐纳二极管温度补偿测试
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4页	41K
描述
TEMPERATURECOMPENSATED SILICON ZENER REFERENCE DIODES 6.2 V, 400 mW

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1N821 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.62
其他特性：	TEMPERATURE COMPENSATED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	6.2 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
电压温度Coeff-Max：	0.62 mV/ °C	工作测试电流：	7.5 mA
Base Number Matches：	1

1N821 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

1N821,A 1N823,A

1N825,A 1N827,A

1N829,A

Temperature-Compensated

Zener Reference Diodes

Temperature-compensated zener reference diodes utilizing a single chip oxide passi-

vated junction for long-term voltage stability. A rugged, glass-enclosed, hermetically sealed

structure.

TEMPERATURE-

COMPENSATED

SILICON ZENER

REFERENCE DIODES

6.2 V, 400 mW

Mechanical Characteristics:

CASE: Hermetically sealed, all-glass

DIMENSIONS: See outline drawing.

FINISH: All external surfaces are corrosion resistant and leads are readily solderable.

POLARITY: Cathode indicated by polarity band.

WEIGHT: 0.2 Gram (approx.)

MOUNTING POSITION: Any

Maximum Ratings

Junction Temperature: – 55 to +175°C

Storage Temperature: – 65 to +175°C

DC Power Dissipation: 400 mW @ T = 50°C

WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona

CASE 299

DO-204AH

GLASS

ASSEMBLY/TEST LOCATION: Phoenix, Arizona

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted. V = 6.2 V ± 5%* @ I = 7.5 mA) (Note 5)

Temperature

Coefficient

For Reference Only

%/°C

Maximum

Voltage Change

Ambient

Test Temperature

Maximum

Dynamic Impedance

JEDEC

Type No.

∆V (Volts)

°C

±1°C

Ohms

(Note 1)

(Note 2)

1N821

0.096

– 55, 0, +25, +75, +100

0.01

0.005

0.002

0.001

0.0005

0.01

1N823

0.048

1N825

0.019

0.009

0.005

0.096

0.048

0.019

0.009

0.005

1N827

1N829

1N821A

1N823A

1N825A

1N827A

1N829A

0.005

0.002

0.001

0.0005

*Tighter-tolerance units available on special request.

Motorola TVS/Zener Device Data

6.2 Volt OTC 400 mW DO-35 Data Sheet

8-159

12 3 4

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1N821 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N3780	MICROSEMI	功能相似	Zener Diode, 6.7V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, DO-7, 2 PIN
1N821A	MICROSEMI	功能相似	6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

与1N821相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N821(DO35)	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N821(DO35)E3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N821/A52R	ETC	获取价格	IC-6.2V REFERENCE
1N821_1	MICROSEMI	获取价格	TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N821_10	MICROSEMI	获取价格	Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips
1N821-1	MICROSEMI	获取价格	6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N821-1(DO35)	ETC	获取价格	0TC Reference Voltage Zener
1N821-1-1	MICROSEMI	获取价格	6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N821-1-1%	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
1N821-1-1%E3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode

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