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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-35 | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.62 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N821(DO35)E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N821/A52R | ETC |
获取价格 |
IC-6.2V REFERENCE |
|
| 1N821_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N821_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips |
|
| 1N821-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N821-1(DO35) | ETC |
获取价格 |
0TC Reference Voltage Zener |
|
| 1N821-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
|
| 1N821-1-1% | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N821-1-1%E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N821116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
|
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