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1N8023

更新时间： 2024-02-05 10:55:22

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SSDI		超快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	187K
描述
HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER

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1N8023 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	E-GALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.525 V
JESD-30 代码：	E-GALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	20 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N8023 数据手册

1N8021 thru 1N8023

SERIES

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

1 AMP

100 – 200 VOLTS

5 nsec

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

HYPER FAST

RECOVERY RECTIFIER

__ __ __

1N802

Screening ^2/

│

└

│

└

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

FEATURES:

 Hyper fast reverse recovery time: 5 ns Max

 Low forward voltage drop

 Low reverse leakage current

Package Type

__ = Axial Leaded

SMS = Surface Mount Square Tab

 Avalanche breakdown

 Void free ceramic frit glass construction

 High temperature category I eutectic metallurgical bond

 Hermetically sealed

Device Type ( VRWM )

1 = 100 V

 Solid silver leads

 Excellent liquid-to-liquid cryogenic thermal shock

2 = 150 V

3 = 200 V

performance

 Available in axial & square tab versions

 For high efficiency applications

 TX, TXV, and S-Level screening available^2/

 Available as a QPL product per MIL-PRF-19500/770

 Replacement for 1N6638, 1N6642 and 1N5806

MAXIMUM RATINGS ^3/

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

1N8021

1N8022

1N8023

100

150

200

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RWM

V_R

Volts

Average Rectified Forward Current

(Resistive load, 60 Hz, sine wave, T_C= 25°C)

I_O

Amp

Peak Surge Current

I_FSM

Amps

°C

(8.3 msec pulse, half sine wave superimposed on Io, allow junction to

reach equilibrium between pulses, T_C= 25°C)

-65 to +175

Operating & Storage Temperature

T_OPand T_STG

Thermal Resistance

SMS- Junction to End Tab

Axial- Junction to Lead @ .375”

R_θJE

R_θJL

°C/W

Axial Leaded

SMS

NOTES:

1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on

request.

3/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25°C.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0160C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N8023SMSS	SSDI	获取价格	HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER
1N8023SMSTX	SSDI	获取价格	HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER
1N8023SMSTXV	SSDI	获取价格	HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER
1N80G-TA3-T	UTC	获取价格	1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N80G-TF1-T	UTC	获取价格	1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N80G-TF3-T	UTC	获取价格	1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N80L-TA3-T	UTC	获取价格	1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N80L-TF1-T	UTC	获取价格	1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N80L-TF3-T	UTC	获取价格	1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N81	NJSEMI	获取价格	GOLD BONDED GERMANIUM DIODES

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