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1N756A.TR

更新时间: 2024-10-30 20:33:43
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德州仪器 - TI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
8.2V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N756A.TR 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:5 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
最大反向电流:0.1 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:5.084 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N756A.TR 数据手册

  

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