是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 5 Ω | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 8.2 V |
最大反向电流: | 0.1 µA | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 电压温度Coeff-Max: | 5.084 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 20 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N756A/TR | VISHAY |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, | |
1N756A_NL | FAIRCHILD |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2 | |
1N756A-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
1N756A-1E3/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N756A-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N756A-A | MCC |
获取价格 |
Zener Diode, | |
1N756A-A | DIODES |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional | |
1N756A-AP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 | |
1N756A-B | DIODES |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional | |
1N756AC | MOTOROLA |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS |