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1N756

更新时间: 2024-11-29 22:44:55
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美高森美 - MICROSEMI 稳压二极管齐纳二极管测试
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2页 74K
描述
SILICON 500 mW ZENER DIODES

1N756 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-7包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:8 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:10%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N756 数据手册

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