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1N755T-12

更新时间: 2024-11-30 18:54:59
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罗姆 - ROHM 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional

1N755T-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.03
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N755T-12 数据手册

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