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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 25 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N709A(DO7) | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N709A(DO7)E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N709AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N709E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.2V V(Z), 10%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N70A | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N70G-T92-B | UTC |
获取价格 |
1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N70G-T92-K | UTC |
获取价格 |
1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N70G-T92-R | UTC |
获取价格 |
1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N70G-TM3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| 1N70G-TMA-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
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