是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-92 | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.57 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 700 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.2 A | 最大漏源导通电阻: | 13.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 4 pF |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N70L-T92-R | UTC |
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1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N70L-TM3-T | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
1N70L-TMA-T | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
1N70L-TN3-R | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
1N70Q-TA | UTC |
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N-CH | |
1N70-T92-B | UTC |
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1.2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
1N70-T92-K | UTC |
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1.2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
1N70Z | UTC |
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1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N70ZG-T92-B | UTC |
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1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N70ZG-T92-K | UTC |
获取价格 |
1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET |