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1N6618-PBF

更新时间： 2023-07-15 00:00:00

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DIGITRON		超快恢复二极管快速恢复二极管
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2页	384K
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Rectifier Diode

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1N6618-PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	800 V	最大反向电流：	1 µA
最大反向恢复时间：	0.07 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6618-PBF 数据手册

1N6616-1N6619

ULTRA FAST RECTIFIERS

High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

FEATURES



Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.

Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

1 cycle

surge

current

Junction

capacitance

Working

reverse

voltage

Repetitive

surge

current

Reverse

recovery

time⁽³⁾

Average rectified

current

Reverse current

@ V_RWM

Forward voltage

Thermal impedance

@ 50Vdc

@ 1kHZ

t_p

8.3ms

Part

number

I_O

I_R

V_F

I_FSM

I_FRM

t_rr

Ө_J-L

L =

0.375”

°C/W

C_J

V_RWM

L =

0.125”

L =

0.500”

55°C⁽¹⁾

100°C⁽²⁾

25°C

100°C

25°C

Volts

400

Amps

3.0

Amps

2.0

µA

1.0

µA

Volts

1.7

Amps

3.00

Amps

100

Amps

°C/W

1N6616

1N6617

1N6618

1N6619

600

3.0

2.0

1.7

100

800

3.0

2.0

1.7

100

1000

3.0

2.0

1.7

100

MECHANICAL CHARACTERISTICS

Case

Digi G

Marking

Polarity

Body painted, alpha-numeric

Cathode band

Rev. 20121211

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与1N6618-PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6619	DIGITRON	获取价格	Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Inp
1N6619	VMI	获取价格	Spice Model
1N6619	NJSEMI	获取价格	400 V - 1
1N6619-PBF	DIGITRON	获取价格	Rectifier Diode
1N661A	NJSEMI	获取价格	DIODE 0.5A 2DIE
1N661X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 240V V(RRM), Silicon,
1N662	MICROSEMI	获取价格	COMPUTER DIODE Switching
1N662	NJSEMI	获取价格	GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES
1N6620	SEMTECH	获取价格	Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode
1N6620	SENSITRON	获取价格	Ultrafast Recovery Rectifier