是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.74 |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.7 V |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 100 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 最大反向电流: | 1 µA |
最大反向恢复时间: | 0.07 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6619 | DIGITRON |
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Rectifier, Ultra Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 3; Max TMS Bridge Inp |
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1N6619 | VMI |
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Spice Model |
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1N6619 | NJSEMI |
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400 V - 1 |
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1N6619-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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1N661A | NJSEMI |
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DIODE 0.5A 2DIE |
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1N661X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 240V V(RRM), Silicon, |
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1N662 | MICROSEMI |
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COMPUTER DIODE Switching |
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1N662 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
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1N6620 | SEMTECH |
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Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode |
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1N6620 | SENSITRON |
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Ultrafast Recovery Rectifier |
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