是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | E-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JESD-30 代码: | E-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 100 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1000 V | 最大反向恢复时间: | 0.07 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6619-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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1N661A | NJSEMI |
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DIODE 0.5A 2DIE |
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1N661X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 240V V(RRM), Silicon, |
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1N662 | MICROSEMI |
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COMPUTER DIODE Switching |
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1N662 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES |
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1N6620 | SEMTECH |
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Axial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode |
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1N6620 | SENSITRON |
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Ultrafast Recovery Rectifier |
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1N6620 | NJSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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1N6620 | MICROSEMI |
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RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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1N6620_04 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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