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1N6329USE3

更新时间: 2024-10-30 20:47:11
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 232K
描述
Zener Diode, 16V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, MELF-2

1N6329USE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.1
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:12 Ω
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:16 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:7.8 mA
Base Number Matches:1

1N6329USE3 数据手册

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