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1N6269

更新时间: 2024-11-04 22:52:23
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6269 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.1
Is Samacsys:N最大击穿电压:9.02 V
最小击穿电压:7.38 V击穿电压标称值:8.2 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:12.5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.52 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:6.63 V最大反向电流:200 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6269 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6269.TR SEMTECH

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