1N6264

更新时间： 2024-01-28 00:50:17

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		半导体红外LED 光电二极管
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3页	123K
描述
GaAs INFRARED EMITTING DIODE

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1N6264 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-46, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.B	HTS代码：	8541.40.20.00
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.7 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	6 mW	峰值波长：	940 nm
最大反向电压：	3 V	半导体材料：	GaAs
形状：	ROUND	光谱带宽：	6e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	NO
视角：	20 deg	Base Number Matches：	1

1N6264 数据手册

1N6264

GaAs INFRARED EMITTING DIODE

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

• Good optical to mechanical alignment

• Mechanically and wavelength matched to the

TO-18 series phototransistor

0.209 (5.31)

0.184 (4.67)

• Hermetically sealed package

• High irradiance level

0.030 (0.76)

0.255 (6.48)

NOM

• (*) Indicates JEDEC registered values

1.00 (25.4)

MIN

SCHEMATIC

DESCRIPTION

ANODE

(CASE)

• The 1N6264 is a 940 nm LED in a

ANODE

(Connected

To Case)

0.100 (2.54)

0.050 (1.27)

narrow angle, TO-46 package.

CATHODE

0.040 (1.02)

1. Derate power dissipation linearly 1.70 mW/°C above 25°C ambient.

2. Derate power dissipation linearly 13.0 mW/°C above 25°C case.

3. RMA flux is recommended.

Ø0.020 (0.51) 2X

45°

4. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning

agents.

NOTES:

5. Soldering iron tip 1/16” (1.6mm) minimum from housing.

6. As long as leads are not under any stress or spring tension

7. Total power output, P_O, is the total power radiated by the device into

1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).

2. Tolerance of .010 (.25) on all non-nominal dimensions

unless otherwise specified.

a solid angle of 2 H steradians.

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

* Operating Temperature

* Storage Temperature

* Soldering Temperature (Iron)^{(3,4,5 and 6)}

* Soldering Temperature (Flow)^{(3,4 and 6)}

* Continuous Forward Current

* Forward Current (pw, 1µs; 200Hz)

* Reverse Voltage

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-I

T_SOL-F

I_F

Rating

-65 to +125

-65 to +150

240 for 5 sec

260 for 10 sec

100

Unit

°C

I_F

V_R

* Power Dissipation (T_A= 25°C)⁽¹⁾

Power Dissipation (T_C= 25°C)⁽²⁾

P_D

170

1.3

(T^A=25°C) (All measurements made under pulse conditions)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I_F= 100 mA

V_R= 3 V

SYMBOL

MIN

935

—

TYP

—

±±

—

MAX

955

—

1.7

—

UNITS

Deg.

µA

µs

* Peak Emission Wavelength

Emission Angle at 1/2 Power

* Forward Voltage

* Reverse Leakage Current

* Total Power

D_P

V_F1

I_R

P_O

t_r

I_F= 100 mA

Rise Time 0-90% of output

Fall Time 100-10% of output

1.0

t_f

µs

 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300276 3/2/01

1 OF 3

www.fairchildsemi.com

12 3

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与1N6264相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N6265	QT	GAAS INFRARED EMITTING DIODE	获取价格
1N6265	FAIRCHILD	GaAs INFRARED EMITTING DIODE	获取价格
1N6266	QT	GAAS INFRARED EMITTING DIODE	获取价格
1N6266	FAIRCHILD	GaAs INFRARED EMITTING DIODE	获取价格
1N6267	GOOD-ARK	Transient Voltage Suppressors Peak Pulse Power 1500W Breakdown Voltage 6.8 to 550V	获取价格
1N6267	LGE	BREAKDOWN VOLTAGE: 6.8 --- 200V PEAK PULSE POWER: 1500 W	获取价格

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