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1N6265

更新时间： 2024-01-25 22:15:49

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		半导体二极管
页数	文件大小	规格书
3页	168K
描述
GaAs INFRARED EMITTING DIODE

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1N6265 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	HERMETICALLY SEALED, TO-46, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.1 A	最大正向电压：	1.7 V
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	6 mW	峰值波长：	940 nm
最大反向电压：	3 V	半导体材料：	GaAs
形状：	ROUND	尺寸：	4.67 mm
光谱带宽：	6e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
视角：	80 deg

1N6265 数据手册

1N6265

GaAs INFRARED EMITTING DIODE

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

• Good optical to mechanical alignment

• Mechanically and wavelength matched to the

TO-18 series phototransistor

0.209 (5.31)

0.184 (4.67)

• Hermetically sealed package

0.030 (0.76)

0.155 (3.94)

MAX

NOM

• High irradiance level

• (*) Indicates JEDEC registered values

1.00 (25.4)

MIN

SCHEMATIC

ANODE

(CASE)

DESCRIPTION

ANODE

(Connected

To Case)

• The 1N6265 is a 940 nm LED in a

0.100 (2.54)

0.050 (1.27)

narrow angle, TO-46 package.

CATHODE

0.040 (1.02)

1. Derate power dissipation linearly 1.70 mW/°C above 25°C ambient.

2. Derate power dissipation linearly 13.0 mW/°C above 25°C case.

3. RMA flux is recommended.

Ø0.020 (0.51) 2X

45°

4. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning

agents.

NOTES:

5. Soldering iron tip 1/16” (1.6mm) minimum from housing.

6. As long as leads are not under any stress or spring tension

7. Total power output, P_O, is the total power radiated by the device into

1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).

2. Tolerance of .010 (.25) on all non-nominal dimensions

unless otherwise specified.

a solid angle of 2 H steradians.

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Operating Temperature

*Storage Temperature

*Soldering Temperature (Iron)^{(3,4,5 and 6)}

*Soldering Temperature (Flow)^{(3,4 and 6)}

*Continuous Forward Current

*Forward Current (pw, 1µs; 200Hz)

*Reverse Voltage

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-I

T_SOL-F

I_F

Rating

-65 to +125

-65 to +150

240 for 5 sec

260 for 10 sec

100

Unit

°C

I_F

V_R

*Power Dissipation (T_A= 25°C)⁽¹⁾

Power Dissipation (T_C= 25°C)⁽²⁾

P_D

170

1.3

(T^A=25°C) (All measurements made under pulse conditions)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

MIN

935

—

TYP

—

±±0

—

MAX

955

—

1.7

—

UNITS

Deg.

µA

µs

*Peak Emission Wavelength

Emission Angle at 1/2 Power

*Forward Voltage

*Reverse Leakage Current

*Total Power

I_F= 100 mA

D_PE

I_F= 100 mA

V_R= 3 V

I_F= 100 mA

V_F

I_R

P_O

t_r

Rise Time 0-90% of output

Fall Time 100-10% of output

1.0

t_f

µs

 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300277 3/6/01

1 OF 3

www.fairchildsemi.com

12 3

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与1N6265相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6266	QT	获取价格	GAAS INFRARED EMITTING DIODE
1N6266	FAIRCHILD	获取价格	GaAs INFRARED EMITTING DIODE
1N6267	GOOD-ARK	获取价格	Transient Voltage Suppressors Peak Pulse Power 1500W Breakdown Voltage 6.8 to 550V
1N6267	LGE	获取价格	BREAKDOWN VOLTAGE: 6.8 --- 200V PEAK PULSE POWER: 1500 W
1N6267	DCCOM	获取价格	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1N6267	TRSYS	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1N6267	VISHAY	获取价格	TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1N6267	EIC	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
1N6267	MICROSEMI	获取价格	TRANSIENT ABSORPTION ZENER
1N6267	NJSEMI	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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