5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.015 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 60 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6263R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, Silicon |
|
| 1N6263-TAP | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N6263TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 60V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N6263-TR | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 60V V(RRM), |
|
| 1N6263TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 60V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N6263TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 60V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N6263W | TYSEMI |
获取价格 |
Low Forward Voltage Drop Guard Ring Constuction for Transient Protection |
|
| 1N6263W | KEXIN |
获取价格 |
SMALL SIGNAL DIODES |
|
| 1N6263W | SEMTECH |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| 1N6263W | TSC |
获取价格 |
Surface Mount Schottky Barrier Diode |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
