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1N6170AUSE3

更新时间: 2024-11-05 10:52:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
7页 480K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 114V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, GLASS, D-5C, 2 PIN

1N6170AUSE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69最小击穿电压:142.5 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:114 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

1N6170AUSE3 数据手册

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