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1N6169AUSE3

更新时间: 2024-12-02 05:58:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
7页 480K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 98.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2

1N6169AUSE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69最小击穿电压:123.5 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压:98.8 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6169AUSE3 数据手册

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