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1N6161AUSE3

更新时间: 2024-02-25 01:10:26
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 480K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 47.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2

1N6161AUSE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67Is Samacsys:N
最小击穿电压:58.9 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压:47.1 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6161AUSE3 数据手册

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