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1N6135US

更新时间: 2024-11-13 20:17:55
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 440K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 121.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2

1N6135US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.33
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:144.4 V击穿电压标称值:160 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:218.4 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:121.6 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6135US 数据手册

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