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1N6102A.TR

更新时间: 2024-11-17 13:03:43
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商升特 - SEMTECH 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon

1N6102A.TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.35最小击穿电压:6.46 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6102A.TR 数据手册

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500W BI-POLARITY TRANSIENT  
VOLTAGE SUPPRESSORS  
1N6102  
thru  
1N6137  
January 16, 1998  
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com  
© 1997 SEMTECH CORP.  
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320  

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