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1N60ZL-T92-B

更新时间： 2022-09-13 23:12:31
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描述
1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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1N60Z  
Power MOSFET  
„
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃, unless otherwise specified.)  
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS  
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS  
MIN TYP MAX UNIT  
Drain-Source Diode Forward Voltage  
Maximum Continuous Drain-Source Diode  
Forward Current  
VSD  
VGS=0V, IS =1.2A  
1.4  
1.2  
V
A
IS  
Maximum Pulsed Drain-Source Diode  
Forward Current  
ISM  
4.8  
A
Reverse Recovery Time  
trr  
VGS=0V, IS=1.2A  
dIF/dt=100A/μs (Note 1)  
160  
0.3  
ns  
Reverse Recovery Charge  
QRR  
μC  
Note: 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%  
3. Essentially Independent of Operating Temperature  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 6  
QW-R502-724.C  
www.unisonic.com.tw  
123456

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