Datasheet > 1N6100

1N6100

更新时间： 2024-02-24 20:44:38

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	23K
描述
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N6100 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFP
包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, FLAT PACK-14	针数：	14
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.43
配置：	SEPARATE, 7 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-CDFP-F14
JESD-609代码：	e0	元件数量：	7
端子数量：	14	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.01 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6100 数据手册

1N6100

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

MONOLITHIC AIR ISOLATED

DIODE ARRAY

FEATURES:

· HERMETIC CERAMIC PACKAGE

· Bv > 75V at 5uA

· Ir < 100nA at 40V

· C < 4.0 pF

Absolute Maximum Ratings:

.280

MAX

Symbol

Parameter

Limit

Unit

.019

.010

.004

MIN

.006

.003

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

IO *1 * 3

IFSM *1

Continuous Forward Current

300

500

400

500

mAdc

.370

.250

Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

Power Dissipation per Junction @ 25°C

Power Dissipation per Package @ 25°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

PT1

PT2

Top

Tstg

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

.260

.240

.280

MAX

NOTE 1: Each Diode

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C

NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C

.370

.250

.005

MIN

.050

BSC

.095

.030

Electrical Characteristics (Per Diode) @

25°C unless otherwise specified

PACKAGE OUTLINE

Min Max Unit

Vdc

Symbol Parameter

Conditions

Vf1

IR1

IR2

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin) VR = 0 Vdc; f = 1MHz

Forward Recovery Time If = 100mAdc

If = 100mAdc *1

VR = 40 Vdc

VR = 20 Vdc

0.1 uAdc

25 nAdc

4.0 pF

15 ns

tfr

trr

VF5

Reverse Recovery Time If = IR = 10mAdc, irr = 1 mAdc, RL = 100 ohms

Forward Voltage Match If = 10 mA

10 ns

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other

information at any time without prior notice.

MSC1015.PDF Rev - 11/25/98

下载PDF

与1N6100相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N6100_1	MICROSEMI	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options	获取价格
1N6101	MICROSEMI	MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY	获取价格
1N6101	NJSEMI	Diode Switching 75V 0.3A 16-Pin CDIP	获取价格
1N6101_09	MICROSEMI	ISOLATED DIODE ARRAY	获取价格
1N6101_1	MICROSEMI	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options	获取价格
1N6101E3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16	获取价格