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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N609A | NJSEMI |
获取价格 |
STUD BASE RECTIFIERS |
|
| 1N60A | MICROSEMI |
获取价格 |
Optimized for Radio Frequency Response |
|
| 1N60A | UTC |
获取价格 |
0.5 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 45V 0.05A 2-Pin DO-7 |
|
| 1N60A_09 | UTC |
获取价格 |
0.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
|
| 1N60A_11 | UTC |
获取价格 |
0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N60A_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N60A{BOX} | MICROSEMI |
获取价格 |
Mixer Diode, Germanium |
|
| 1N60AG-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
|
| 1N60AG-A-T92-B | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
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