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1N6071A

更新时间: 2024-11-03 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 111K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6071A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-13
包装说明:O-MALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50Factory Lead Time:24 weeks
风险等级:5.26Is Samacsys:N
最大击穿电压:210 V最小击穿电压:190 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:170 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6071A 数据手册

 浏览型号1N6071A的Datasheet PDF文件第2页 

1N6071A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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