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1N5931BP-TP

更新时间: 2024-12-01 13:03:43
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美微科 - MCC 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Zener Diode, 18V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N5931BP-TP 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:12 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:18 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:20.8 mABase Number Matches:1

1N5931BP-TP 数据手册

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1N5926B  
THRU  
1N5956B  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
1.5 Watt  
Zener Diode  
11 to 200 Volts  
·
·
·
·
Glass Passivated Junction  
Low Profile Package  
Low Inductance  
Built-in Strain Relief  
DO-41G  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Forward Voltage  
at IF=200mA  
D
V
VF  
1.5  
Power  
Dissipation at  
TL = 75°C  
1.5(1)  
W
A
Ptot  
Cathode  
Mark  
B
Pwak forward  
Surge Current  
8.3ms single half  
sine/square wave  
Junction  
D
I FSM  
10  
Amps  
C
T
j
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
oC  
oC  
Temperature  
Storage  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
M M  
Temperature  
Range  
TSTG  
DIM  
NOTE  
MAX  
0.205  
0.107  
0.034  
-----  
MIN  
4.10  
MAX  
7.60  
3.60  
0.90  
-----  
A
B
C
D
0.166  
0.080  
0.026  
1.000  
2.00  
Diameter  
Diameter  
0.70  
25.40  
www.mccsemi.com  

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