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1N5931BUR-1E3

更新时间: 2024-12-01 20:49:11
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
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5页 293K
描述
Zener Diode

1N5931BUR-1E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.59
其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-213AB
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.25 W
标称参考电压:18 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:20.8 mABase Number Matches:1

1N5931BUR-1E3 数据手册

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