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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5919DUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5919G | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5919GTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5919P | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N5919UR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL |
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| 1N5920 | MICROSEMI |
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SILICON 1.5 WATT ZENER DIODES |
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| 1N5920 | NJSEMI |
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SILICON 1.5 WATT ZENER DIODES |
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| 1N5920 | TAYCHIPST |
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ZENER DIODES |
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| 1N5920 | MCC |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN |
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| 1N5920 | LGE |
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稳压二极管 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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