5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | INDUSTRY STANDARD |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 10 Ω | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 3.3 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 113.6 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5913BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41 |
|
| 1N5913BUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
METALLURGICALLY BONDED GLASS SURFACE MOUNT 1.5 WATT ZENERS |
|
| 1N5913BUR-1A | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL |
|
| 1N5913BUR-1ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL |
|
| 1N5913BUR-1B | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5913BUR-1BTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5913BUR-1C | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5913BUR-1CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5913BUR-1D | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5913BUR-1DTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
