1N5408GP-BP

更新时间： 2024-02-15 15:16:23

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美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	484K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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1N5408GP-BP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.09
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5408GP-BP 数据手册

1N5400 thru 1N5408

M C C

Micro Commercial Components

Figure 1

Typical Forward Characteristics

Figure 2

200

100

Forward Derating Curve

3.0

2.5

T_j= 25ºC

Pulse test: Pulse width 300 msec,

Duty cycle 2%

1.5

1.0

Amps

1.0

0.2

Single Phase, Half Wave

60Hz Resistive or Inductive Load

100

125

150

175

0.4 0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

3.2

°C

Instantaneous Forward Current - Amperes versus

Instantaneous Forward Voltage - Volts

Average Forward Rectified Current - Amperesversus

Ambient Temperature -°C

Figure 3

Junction Capacitance

100

T_J=25°C

400

1000

10 20

200

100

Volts

Junction Capacitance - pFversus

Reverse Voltage - Volts

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

2 of 4

123 4

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与1N5408GP-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5408GP-E3/54	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
1N5408GPT	CHENMKO	JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 - 1000 Volts CURRENT 3 Amperes	获取价格
1N5408GP-TP-HF	MCC	暂无描述	获取价格
1N5408GP-Z21D-B	UTC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,	获取价格
1N5408GR	SECOS	Low forward voltage drop	获取价格
1N5408G-T	DIODES	3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER	获取价格