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1N5408GP-E3/54

更新时间： 2024-02-12 17:25:30
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压二极管
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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1N5408GP-E3/54 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.59其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：5 µs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

1N5408GP-E3/54 数据手册

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1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407, 1N5408  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
General Purpose Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of  
compliance please see www.vishay.com/doc?99912  
DO-201AD  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Note  
IF(AV)  
3.0 A  
•
These devices are not AEC-Q101 qualified.  
50 V, 100 V, 200 V, 300 V, 500 V,  
600 V, 800 V, 1000 V  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 A  
5.0 μA  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
1.2 V  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
DO-201AD  
Single die  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 UNIT  
Maximum repetitive peak  
reverse voltage  
VRRM  
50  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
800  
1000  
V
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
350  
500  
420  
600  
560  
800  
700  
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward  
rectified current 0.5" (12.5 mm)  
lead length at TL = 105 °C  
IF(AV)  
3.0  
A
A
Peak forward surge current  
8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
200  
Maximum full load reverse  
current, full cycle average  
0.5" (12.5 mm) lead length  
at TL = 105 °C  
IR(AV)  
500  
μA  
°C  
Operating junction and  
storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 50 to + 150  
Revision: 01-Aug-13  
Document Number: 88516  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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