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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-201AD |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.06 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5407-BP | MCC |
类似代替  |
暂无描述 |
|
| 1N5407 | SURGE |
功能相似 |
3.0 AMPS. SILICON RECTIFIERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5407GP-TP-HF | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5407GR | SECOS |
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Low forward voltage drop |
|
| 1N5407G-T | DIODES |
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3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
|
| 1N5407-GT3 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
| 1N5407GU | DYELEC |
获取价格 |
3 .0 AMPS. Glass Passivated Rectifiers |
|
| 1N5407GU21 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5407GU27 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
|
| 1N5407GV | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
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| 1N5407H31 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5407H32 | RECTRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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