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1N5391GP/53-E3

更新时间： 2024-10-30 15:39:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 326K
描述
DIODE 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Rectifier Diode

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1N5391GP/53-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ACJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：2 µs表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

1N5391GP/53-E3 数据手册

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1N5391GP thru 1N5399GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Rectifier  
®
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
1.5 A  
50 V to 1000 V  
50 A  
5.0 µA  
*
VF  
1.4 V  
d
e
t
n
e
Tj max.  
175 °C  
t
a
P
DO-204AC (DO-15)  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly  
by Patent No. 3,930,306  
Features  
Mechanical Data  
• Superectifier structure for High Reliability  
application  
Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low forward voltage drop  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Low leakage current, typical I less than 0.1 µA  
R
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Typical Applications  
For use in general purpose rectification of power sup-  
plies, inverters, converters and freewheeling diodes  
application  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
1N53  
91GP  
1N53  
92GP  
1N53  
93GP  
1N53  
94GP  
1N53  
95GP  
1N53  
96GP  
1N53  
97GP  
1N53  
98GP  
1N53 Unit  
99GP  
* Maximum repetitive peak  
reverse voltage  
VRRM  
50  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
800  
1000  
V
* Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
280  
400  
350  
500  
420  
600  
560  
800  
700  
V
V
* Maximum DC blocking  
voltage  
100  
1000  
* Maximum average forward  
rectified current 0.375" (9.5  
mm) lead length at TL = 70 °C  
IF(AV)  
1.5  
A
* Peak forward surge current  
8.3 ms single half sine-wave  
super-imposed on rated load  
IFSM  
50  
A
* Maximum full load reverse  
current, full cycle average  
0.375" (9.5 mm) lead length at  
IR(AV)  
300  
µA  
TA = 70 °C  
* Operating junction and  
TJ,TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
storage temperature range  
Document Number 88515  
14-Oct-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与1N5391GP/53-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5391GP/54 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15,
1N5391GP/54-E3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Rectifier Di
1N5391GP/56 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15,
1N5391GP/58 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15,
1N5391GP/60 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15,
1N5391GP/60-E3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Rectifier Di
1N5391GP/62 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15,
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 		DIODE 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Rectifier Di
1N5391GP/64 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15,
1N5391GP/64-E3 VISHAY

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