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1N5360B

更新时间: 2024-11-11 22:37:39
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

1N5360B 数据手册

 浏览型号1N5360B的Datasheet PDF文件第2页 
1N 5345B … 1N 5388B (5 W)  
Silicon-Power-Z-Diodes  
(non-planar technology)  
Silizium-Leistungs-Z-Dioden  
(flächendiffundierte Dioden)  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
5 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
8.7…200 V  
~ DO-201  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
1 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is ± 5%. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on  
request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung ± 5%. Andere Toleranzen oder  
höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation  
Verlustleistung  
TA = 25C  
TA = 25C  
Ptot  
PZSM  
Tj  
5.0 W 1)  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
80 W  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50…+150C  
TS – 50…+175C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 25 K/W 1)  
< 8 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
Zener voltages see table on next page  
Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
1
)
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
230  
01.10.2002  

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