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1N5348AE3/TR7

更新时间: 2024-11-05 15:38:31
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 318K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, DO-201AE,

1N5348AE3/TR7 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.64
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-201AEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
标称参考电压:11 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:10%工作测试电流:125 mA
Base Number Matches:1

1N5348AE3/TR7 数据手册

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