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1N5309-1

更新时间： 2024-11-21 20:31:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN

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1N5309-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-7
包装说明：DO-35, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.04
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：CURRENT REGULATOR DIODE
最小动态阻抗：300000 ΩJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e0
最大限制电压：2.25 V元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称调节电流 (Ireg)：3 mA
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Current Regulator Diodes
表面贴装：NO技术：FIELD EFFECT
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5309-1 数据手册

 浏览型号1N5309-1的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N5283-1 THRU 1N5314-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/463  
1N5283 thru 1N5314  
and  
• CURRENT REGULATOR DIODES  
1N5283-1 thru 1N5314-1  
• HIGH SOURCE IMPEDANCE  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ T = +50°C, L = 3/8”  
L
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
Peak Operating Voltage: 100 Volts  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
MINIMUM  
DYNAMIC  
IMPEDANCE  
MINIMUM  
KNEE  
IMPEDANCE  
@V = 6.0 V  
K
MAXIMUM  
LIMITING  
VOLTAGE  
REGULATOR CURRENT  
TYPE  
l p (mA) @ V = 25V  
S
@V = 25V  
S
NUMBER  
Z
(MΩ)  
Z
(MΩ)  
@ l = 0.8 lp (min)  
L
S
K
NOM  
MIN  
MAX  
(Note 1)  
(Note 2)  
V
(VOLTS)  
L
1N5283  
1N5284  
1N5285  
1N5286  
1N5287  
0.22  
0.24  
0.27  
0.30  
0.33  
0.198  
0.216  
0.243  
0.270  
0.297  
0.242  
0.264  
0.297  
0.330  
0.363  
25.0  
19.0  
14.0  
9.0  
2.75  
2.35  
1.95  
1.60  
1.35  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
6.6  
1N5288  
1N5289  
1N5290  
1N5291  
1N5292  
0.39  
0.43  
0.47  
0.56  
0.62  
0.351  
0.387  
0.423  
0.504  
0.558  
0.429  
0.473  
0.517  
0.616  
0.682  
4.10  
3.30  
2.70  
1.90  
1.55  
1.00  
1.05  
1.05  
1.05  
1.10  
1.13  
0.870  
0.750  
0.560  
0.470  
FIGURE 1  
1N5293  
1N5294  
1N5295  
1N5296  
1N5297  
0.68  
0.75  
0.82  
0.91  
1.00  
0.612  
0.675  
0.738  
0.819  
0.900  
0.748  
0.825  
0.902  
1.001  
1.100  
1.35  
1.15  
1.00  
0.880  
0.800  
0.400  
0.335  
0.290  
0.240  
0.205  
1.15  
1.20  
1.25  
1.29  
1.35  
DESIGN DATA  
1N5298  
1N5299  
1N5300  
1N5301  
1N5302  
1.10  
1.20  
1.30  
1.40  
1.50  
0.990  
1.08  
1.17  
1.26  
1.35  
1.210  
1.32  
1.43  
1.54  
1.65  
0.700  
0.640  
0.580  
0.540  
0.510  
0.180  
0.155  
0.135  
0.115  
0.105  
1.40  
1.45  
1.50  
1.55  
1.60  
CASE: Hermetically sealed glass  
case. DO – 7 outline.  
1N5303  
1N5304  
1N5305  
1N5306  
1N5307  
1.60  
1.80  
2.00  
2.20  
2.40  
1.44  
1.62  
1.80  
1.98  
2.16  
1.76  
1.98  
2.20  
2.42  
2.64  
0.475  
0.420  
0.395  
0.370  
0.345  
0.092  
0.074  
0.061  
0.052  
0.044  
1.65  
1.75  
1.85  
1.95  
2.00  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N5308  
1N5309  
1N5310  
1N5311  
1N5312  
2.70  
3.00  
3.30  
3.60  
3.90  
2.43  
2.70  
2.97  
3.24  
3.51  
2.97  
3.30  
3.63  
3.96  
4.29  
0.320  
0.300  
0.280  
0.265  
0.255  
0.035  
0.029  
0.024  
0.020  
0.017  
2.15  
2.25  
2.35  
2.50  
2.60  
THERMAL RESISTANCE: (R  
):  
250 ˚C/W maximum at L = .375 inch  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
): 25  
OJX  
1N5313  
1N5314  
4.30  
4.70  
3.87  
4.23  
4.73  
5.17  
0.245  
0.235  
0.014  
0.012  
2.75  
2.90  
˚C/W maximum  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (Cathode) end negative.  
NOTE 1  
NOTE 2  
Z
Z
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V  
S
S
S
K
WEIGHT: 0.2 grams.  
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V  
K
K
MOUNTING POSITION: Any.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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1N5309-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5309-1E3 MICROSEMI

完全替代

 Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEA
1N5309 MICROSEMI

完全替代

 HIGH RELIABILITY CURRENT REGULATOR DIODES

与1N5309-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5309-1E3 MICROSEMI

获取价格

 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEA
1N5309BK CENTRAL

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 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK
1N5309BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK
1N5309BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon,
1N5309BKTIN/LEAD CENTRAL

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 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon,
1N5309CO AEROFLEX

获取价格

 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DIE-1
1N5309LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N5309TRPBFREE CENTRAL

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 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon,
1N5309TR-RECU CENTRAL

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 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK
1N5309TR-RMCU CENTRAL

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 		Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK

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